YF54E54K是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī)，并內(nèi)置鋰電池充電功能，專為鋰電池供電和多組PWM要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。YF54E54K核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。在I/O的資源方面，YF54E54K有12根彈性的雙向I/O腳，每個(gè)I/O腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè)I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開(kāi)漏（Open-Drain）輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方面，YF54E54K內(nèi)置了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。

NY8A054N是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī)，內(nèi)置了EEPROM，專為多組PWM的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。例如燈控，遙控車應(yīng)用。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等。NY8A054N核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以程序控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

YF63DD是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī)，并內(nèi)置高精度LDO(高精度低壓差線性穩(wěn)壓器),專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。YF63DD核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

YF55D54K是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī)，并內(nèi)置鋰電池充電功能，專為鋰電池供電和多I/O要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。YF55D54K核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是1個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

YF63DQS16是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī)，并內(nèi)置高壓輸入鋰電池充電功能，專為鋰電池供電的產(chǎn)品，家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。YF63D核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

NY8TE64A是以MTP作為程式記憶體，并以EEPROM作為非揮發(fā)性資料記憶體的8位微控制器，專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì)。NY8TE64A核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)時(shí)序，大多數(shù)指令都是1個(gè)時(shí)序即能完成，可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

NY8BE62D是以MTP作為程式記憶體，并以EEPROM作為非揮發(fā)性資料記憶體的8位微控制器，特別適合斷電后還需保持資料內(nèi)容的應(yīng)用，例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是游樂(lè)器周邊等等。除此之外內(nèi)建類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器也適用于家電或量測(cè)等等的應(yīng)用設(shè)計(jì)，除此之外更針對(duì)霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì)。

NY8BE64A是以MTP作為程式記憶體，并以EEPROM作為非揮發(fā)性資料記憶體的8位微控制器，專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì)。NY8BE64A核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)時(shí)序，大多數(shù)指令都是1個(gè)時(shí)序即能完成，可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

NY8B072A是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器，專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì)。NY8B072A核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)時(shí)序，大多數(shù)指令都是1個(gè)時(shí)序即能完成，可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

NY8B062F是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī)，專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì)。NY8B062F核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制，共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)指令時(shí)鐘，大多數(shù)指令都是1個(gè)指令時(shí)鐘能完成，可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。