今天為大家?guī)?lái)的是關(guān)于半橋驅(qū)動(dòng)芯片的內(nèi)容，最近有很多朋友在問(wèn)什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片，半橋驅(qū)動(dòng)芯片的工作原理是什么?宇凡微工程師將為大家一一解答。

一、什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片

一顆驅(qū)動(dòng)芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個(gè)MOS管，因此采用半橋驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，需要兩顆該芯片才能控制一個(gè)完整的H橋，而這個(gè)芯片就叫做半橋驅(qū)動(dòng)芯片。

二、半橋驅(qū)動(dòng)芯片的工作原理

半橋驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵是如何實(shí)現(xiàn)上橋的驅(qū)動(dòng)，圖中C1為自舉電容，D1為快恢復(fù)二極管，PWM在上橋調(diào)制。當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí)，A點(diǎn)電位由于Q2的續(xù)流而回零，此時(shí)C1通過(guò)VCC及D1進(jìn)行充電。當(dāng)輸入信號(hào)Hin開(kāi)通時(shí)，上橋的驅(qū)動(dòng)由C1供電，于C1的電壓環(huán)變，VB隨VS的升高而浮動(dòng)，所以C1稱(chēng)為自舉電容。每個(gè)PWM周期，電路都給C1充電，維持其電壓基本保持不變。D1的作用是當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí)為C1充電提供正向電流通道，當(dāng)Q1開(kāi)通時(shí)，阻止電流反向流入控制電壓VCC.D2的作用是為使上橋能夠快速關(guān)斷，減少開(kāi)關(guān)損耗，縮短MOSFET關(guān)斷時(shí)的不穩(wěn)定過(guò)程。D3的作用是避免上橋快速開(kāi)通時(shí)下橋的柵極電壓耦合上升(Cdv/dt)而導(dǎo)致上下橋穿通的現(xiàn)象。

三、半橋驅(qū)動(dòng)芯片作用

通過(guò)分析半橋驅(qū)動(dòng)芯片的定義，我們能夠得出結(jié)論，半橋驅(qū)動(dòng)芯片的主要作用就是用來(lái)驅(qū)動(dòng)高壓，高速功率MOSFET和IGBT，通過(guò)功率管產(chǎn)生交流電觸發(fā)信號(hào)，從而產(chǎn)生大電流進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

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